타겟 물질이 자성인 경우 자기장 라인이 타겟 물질에 의해 차단되고 이를 통과하여 타겟 물질 표면 위에 자기장을 형성하기가 어렵기 때문에 타겟 물질이 자성인 경우 마그네트론의 효과가 크게 감소합니다. 결과적으로, 자성 재료를 스퍼터링하는 경우, 마그네트론 타겟의 자기장은 한편으로는 더 강해야 하며, 다른 한편으로는 타겟 재료를 더 얇게 만들어 자기장 선이 이를 통과하여 타겟 표면 위에 마그네트론 효과를 생성할 수 있도록 해야 합니다.
사용되는 전원에 따라 마그네트론 스퍼터링 장비는 일반적으로 DC 스퍼터링과 고주파 스퍼터링으로 구분될 수 있습니다. DC 마그네트론 스퍼터링 중에 양극 기판과 음극 타겟 사이에 DC 전압이 제공됩니다. 전기장의 영향으로 양이온이 타겟에 충돌하고 스퍼터링 속도가 상당히 높은 경우가 많습니다. 그러나 DC 스퍼터링은 절연체 타겟의 경우 소위 "타겟 중독"이 발생하기 때문에 금속 타겟에만 사용되는 경우가 많습니다. 타겟 표면에 양성 입자가 쌓이면서 스퍼터링 속도가 감소합니다. 마그네트론 스퍼터링 원리는 다음과 같습니다. 전자가 전기장의 영향으로 가속되어 기판으로 날아갈 때 아르곤 원자와 충돌하여 이온화됩니다. 수많은 아르곤 원자와 전자가 그렇게 합니다. 전기장의 영향으로 아르곤 이온은 표적에 대한 충격을 가속화하여 많은 표적 원자를 스퍼터링합니다. 그런 다음 중성 타겟 원자(또는 분자)가 기판에 증착되어 필름을 형성합니다. 이들이 가속되어 기판으로 날아가면서 2차 전자는 자기장의 로렌 자기력에 의해 타겟 표면 근처의 플라즈마 영역에 구속됩니다. .
이 영역은 플라즈마 밀도가 매우 높습니다. 자기장은 2차 전자 주위에 있습니다. 대상의 표면이 원형으로 회전합니다. 전자의 운동 경로는 매우 깁니다. 이동하면서 아르곤 원자와 지속적으로 충돌하여 다량의 아르곤 이온이 이온화되어 표적 물질에 충격을 가합니다. 전자의 에너지는 몇 번의 접촉 후에 꾸준히 감소하여 힘의 제한을 받는 자기선에서 방출됩니다. 결국 타겟에서 제거된 후 기판에 증착됩니다.
